การผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ แผ่นวงจรพิมพ์และการประกอบแผ่นวงจรพิมพ์ด้วยการจัดส่งที่รวดเร็ว
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.2 / pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
- การรับรอง: RoHS,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Sgt25120fd1p7 ต้นฉบับ Silan Micro 25A 1200V IGBT
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.19-2.28 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
ทรานซิสเตอร์แรงดันสูงแบบในแนว J3305-1 to-220
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.4-1.99 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
นิกิยะเลเซอร์ไดโอด RS3060cj ซีบีที 120 2sc5200 ทริโอดท่อความถี่สูง ทรานซิสเตอร์ NPN โรงงาน
ราคา FOB อ้างอิง:
US$5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS ทรานซิสเตอร์โมสเฟต
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.12-15 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Ipw60r099c6 ทรานซิสเตอร์ โมสเฟต เอ็น-ชาน 650V 38A To247-3
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.99-1.19 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- บรรจุภัณฑ์: Tube
- มาตรฐาน: iron and plastic
- มาร์ค: Silan Microelectronics
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Sp22-16-11.4-5.8-0.3 to-220 to-3p ฉนวนความร้อน
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.02 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
40V โมเสตพลังงานแบบ N-Channel Enhancement Mode WMB100N04TS PDFN5060-8L
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.093 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Carton
- มาตรฐาน: metal
- มาร์ค: Merryelc
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไฮเทค ไอจีบีที อินฟิเนียน ไอจีบีที ทรานซิสเตอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.77-29.77 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ วงจรรวมเดียว ชิปส่วนประกอบ IC แบบครบวงจร การจับคู่ BOM
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.628-0.725 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หลอดอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ในงานทำความร้อนด้วยคลื่นวิทยุในอุตสาหกรรม 3cx20000h3
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1,700-3,000 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: ISO
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Suitable for Long-Distance Transportation
- มาตรฐาน: Output power 64kW
- มาร์ค: Beijing Jenerator
- รัฐ / จังหวัด: Beijing, China
เครื่องทำความร้อน เครื่องขยายเสียง เครื่องกำเนิดไฟฟ้า หลอดอิเล็กทรอนิกส์ Ctk15-2, Ctk25-4
ราคา FOB อ้างอิง:
US$2,500-3,500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ออเรียนทัล เซมิ กรีนมอส ไฮ วอลเทจ มอสเฟต
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.35-0.6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 600 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 600 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Shanghai, China
ทรานซิสเตอร์โมสเฟตประสิทธิภาพสูง Fqp9n15 สำหรับการใช้งานสวิตช์พลังงาน
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box
- มาตรฐาน: TO-220
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมดูล IGBT ของ Infineon ของแท้ในราคาส่ง FF200r17ke4. สำหรับรุ่นอื่น ๆ กรุณาปรึกษาบริการลูกค้า
ราคา FOB อ้างอิง:
US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
- มาตรฐาน: Standard specifications
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
Igw15t120fksa1 องค์ประกอบทรานซิสเตอร์ Igw15n120h3 Igw100n60h3 to-247-3
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.0E-4-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ประสิทธิภาพสูง 6A ไตรโอด Fst06A-800bw ไตรแอก สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.05-3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- บรรจุภัณฑ์: Carton Box/ Pallet
- มาตรฐาน: 40cm*40cm*20cm
- มาร์ค: FUANSHI
- ต้นกำเนิด: China
- รหัส HS: 8541300000
- รัฐ / จังหวัด: Hebei, China
โมดูล IGBT แบบ NPT เดี่ยว Fp75r12ke3 75A1200V
ราคา FOB อ้างอิง:
US$208 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- บรรจุภัณฑ์: RoHS Compliant
- มาตรฐาน: Plastic and copper
- มาร์ค: Infineon
- ต้นกำเนิด: China
- รหัส HS: 8542319000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
N-Channel 650V, 100MΩ ซูเปอร์จังก์ชันมอสเฟต CPP65r120FT4 to-220
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.64 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ราคาดีสำหรับบอร์ดประเมินของ Macom Du2880u Mrf171A Npa1003QA Npa1006 Ma4p1250nm-1072t Ma4p1250-1072t
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- มาร์ค: Macom
- ต้นกำเนิด: Original
- กำลังการผลิต: 50000PCS/Month
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
100-8 ซีรีส์ 1A ไดโอดพาวเวอร์ SCR ที่ไวต่อความไว ชิปเซมิคอนดักเตอร์สำหรับการสลับ
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.03 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
Mmbt3904 ทรานซิสเตอร์พลาสติกแบบ NPN
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.0034-0.0035 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 21,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 21,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- โครงสร้าง: NPN
- บรรจุภัณฑ์: Carton
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ขายดีทรานซิสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์โมสเฟตต้นฉบับ Irfb9n60apbf Irf9z24
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.6-1.99 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- บรรจุภัณฑ์: Reel Tray Tape Tube Bag
- มาตรฐาน: TO-220-3
- มาร์ค: Vishay
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ Irf7404 Sop-8 ผู้จัดจำหน่ายวงจรรวมดั้งเดิม Irf7404trpbf
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.2-0.3 / pieces
ปริมาณต่ำสุด: 200 pieces
ปริมาณต่ำสุด: 200 pieces
- การรับรอง: RoHS,CE
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
บริการประกอบชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แบบกำหนดเองพร้อมการออกแบบแผงวงจร
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.2 / pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 pieces
- การรับรอง: RoHS,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Svf23n50pn Original Silvan Agent 233A 500V MOS การพิมพ์ 23n50
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.19-2.28 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
BTA16-600b to-220 ไทริสเตอร์ ไอซี ชิป BTA16
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.13 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ต้นกำเนิด: China
- กำลังการผลิต: 10000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
เซินเจิ้น IGBT Tl431 Bc337 Tip3055 1n4007 UC3842 60n65 2sc5200 80 30f124 ทรานซิสเตอร์ ผู้ค้า D1047
ราคา FOB อ้างอิง:
US$5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Irlml0060trpbf โมสเฟต SMT N-Channel N-CH 60V 2.7A Sot23
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.99-1.19 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- บรรจุภัณฑ์: Tube
- มาตรฐาน: iron and plastic
- มาร์ค: Silan Microelectronics
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมดูล IGBT ประสิทธิภาพสูง โมดูลทรานซิสเตอร์ IGBT ราคาจากโรงงาน
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.77-29.77 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China