N-Channel 800V-1.5Ω -5.2A-to-220 / to-220fp / D2pak / I2pak ซีนเนอร์ป้องกัน Supermesh ™ พาวเวอร์มอสเฟต
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.8-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หลอดส่งกำลังความถี่สูง (TH558)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$100,000-120,000 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
โมเสฟที่ประหยัดพลังงาน Fqd8n60 สำหรับแหล่งจ่ายไฟและอินเวอร์เตอร์
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box
- มาตรฐาน: TO-220
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
รายการบอม SMP100mc-400 ต้นฉบับ SMP100 400V สถานะปิด 300 a Ipp Tvs Thyristor
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- มาตรฐาน: Standard
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมดูล IGBT ฟูจิของแท้ขายส่ง 2mbi450vh-120-50. สำหรับรุ่นอื่น ๆ กรุณาปรึกษาบริการลูกค้า
ราคา FOB อ้างอิง:
US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
- มาตรฐาน: Standard specifications
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
ต้นฉบับใหม่ 45V 0.1A ทรานซิสเตอร์ NPN Bc547
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
วาล์วอิเล็กตรอนสูญญากาศเซรามิกความถี่สูง (3CW20000A7)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$4,500-5,500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
โมสเฟตคุณภาพสูง Nce65TF099 และโมสเฟตเกรดอุตสาหกรรม
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ต้นฉบับ Ncep85t11 85V 110A 145W 85t11 ทรานซิสเตอร์ N-Channel to-220 Mosfet
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.25 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- มาตรฐาน: DIP
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ขายส่ง โมดูล IGBT ฟูจิ ของแท้ 2mbi800xne120-50 2mbi600xne120-50
ราคา FOB อ้างอิง:
US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
- มาตรฐาน: Standard specifications
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
H25r1203 ไอจีบีทีพลังงานสูง 25A1200V ทรานซิสเตอร์เตาแม่เหล็กไฟฟ้า
ราคา FOB อ้างอิง:
US$7.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ขั้วบวกพลังงาน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หลอดอิเล็กตรอนกำลังความร้อนความถี่สูง (ITL3-1)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$600-800 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
Fhp7915A -15V ไอซีควบคุมแรงดัน - to-220 แพ็คเกจ, 1.5A เอาต์พุต, สอดคล้องกับ RoHS
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box
- มาตรฐาน: TO-220
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ Fdb8447L Sot-263 การควบคุมแสงพื้นหลัง LCD N-Channel 40V15A MOS Fet FDD8447L
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.65-1.96 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- บรรจุภัณฑ์: N/a
- มาตรฐาน: DIP/SMD
- มาร์ค: N/A
- ต้นกำเนิด: Original
- กำลังการผลิต: 5000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมดูล IGBT ของ Infineon รุ่นดั้งเดิมขายส่ง Fz600r17ke4 รุ่นอื่น ๆ กรุณาสอบถามบริการลูกค้า
ราคา FOB อ้างอิง:
US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
- มาตรฐาน: Standard specifications
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
Fmu22u แผ่นพลาสติกซังเคน to-220f ไดโอดฟื้นฟูเร็ว
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
หลอดสูญญากาศออสซิลเลเตอร์ไฮเพาเวอร์ไตรโอด (FU-1608C)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$3,200-3,900 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC JINGGUANG
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
จีนผลิต BTA16 Xx Mosft 16A 800V Triac - เซมิคอนดักเตอร์ที่มีความน่าเชื่อถือสูง
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box
- มาตรฐาน: TO-220
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ต้นฉบับ Ixta34n65X2 N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) 34n65 ทรานซิสเตอร์ Mosfet
ราคา FOB อ้างอิง:
US$2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 20 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 20 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมดูลพลังงาน IGBT ของ Infineon ขายส่ง Fp25r12W2t7 Fp35r12W2t7 Fp50r12W2t7
ราคา FOB อ้างอิง:
US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: CE
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
- มาตรฐาน: Standard specifications
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ 1200V 64A ทรานซิสเตอร์ IGBT Fgl40n120and 40n120
ราคา FOB อ้างอิง:
US$3-5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทริโอดความร้อนเซรามิกโลหะ (BW1184J2, BW1185J2, YD1202, YD1212)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$3,500-4,500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
จีนผลิต Irf4905pbf - 55V โมเสทพลังงาน P-Channel, to-220 บรรจุภัณฑ์
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบไม่ต่อเนื่อง ทรานซิสเตอร์ - เฟต, มอสเฟต - เดี่ยว Ao3416 Ao3418 Ao3419 Ao3420 Ao3421 Ao3421e Ao3422
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- บรรจุภัณฑ์: N/a
- มาตรฐาน: DIP/SMD
- มาร์ค: N/A
- ต้นกำเนิด: Original
- กำลังการผลิต: 5000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมดูล IGBT สตาร์พาวเวอร์ต้นฉบับขายส่ง Gd450hfy120c2s กรุณาติดต่อบริการลูกค้าเพื่อสอบถามเกี่ยวกับรุ่นอื่น ๆ
ราคา FOB อ้างอิง:
US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
- มาตรฐาน: Standard specifications
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China
ใหม่และต้นฉบับ C5281 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ 10A, 500V 2sc5281
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.26 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: NPN
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ท่ออิเล็กทรอนิกส์สูญญากาศเซรามิกความถี่สูง Fu-924f
ราคา FOB อ้างอิง:
US$700-1,000 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
Ncep40t13gu ทรานซิสเตอร์พลังงาน - 40V, 13A, ความต้านทานต่ำ, ประสิทธิภาพสูง
ปริมาณต่ำสุด:
10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Box
- มาตรฐาน: TO-220
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Irf7416trpbf พี-แชนแนล 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) โมสเฟตทรานซิสเตอร์ Irf 7416
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ขายส่ง โมดูล IGBT แบรนด์ FUJI ของแท้ 2mbi150vh-170 2mbi200vh-170 2mbi300vh-170-50
ราคา FOB อ้างอิง:
US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- โครงสร้าง: ระนาบ
- บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
- มาตรฐาน: Standard specifications
- รัฐ / จังหวัด: Fujian, China