พบประมาณ 2197 สินค้า

NCR100 ไทริสเตอร์ SCR 600 วี 800 มิลลิแอมป์ เกตที่ไวต่อการสัมผัส SMD to-236ab NCR100-8lr NCR100 NCR125 NCR169 ซีรีส์

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.01-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • บรรจุภัณฑ์: Standard
  • มาตรฐาน: Standard
  • ต้นกำเนิด: Original
  • กำลังการผลิต: 10000PCS/Day

Tpdv1245rg เครื่องส่งแรงดันอุตสาหกรรมที่มี 4-20mA เอาต์พุตและจอแสดงผล LCD

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Box
  • มาตรฐาน: TO-220

ท่ออิเล็กทรอนิกส์กำลังส่งความถี่สูง (TH558)

ราคา FOB อ้างอิง: US$100,000-120,000 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

ขายส่งโมดูล IGBT พลังงานใหม่แท้ Skm100GB12t4g Skm150GB12t4g Skm450GB12t4 Skm600GB12t

ราคา FOB อ้างอิง: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications

โลว์ อาร์ดีเอส (เปิด) และ ฟอม พีซี พาวเวอร์ เซมิคอนดักเตอร์ มอสเฟต

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 660 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

SPA20n60c3 ทรานซิสเตอร์พลังงาน MOS ที่เย็น

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.8-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Tube
  • มาตรฐาน: Plastic and copper

ทรานซิสเตอร์ Buk6d23-40eh มอสเฟต Buk6d23-40e/Sot1220 เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.001-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • วัสดุ: ซิลิคอน

แรงดันสูง Fqp3n60c โมสเฟต - 600V, 3A, to-220 แพ็คเกจ เหมาะสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
  • บรรจุภัณฑ์: Box

ออสซิลเลเตอร์ไตรโอดเซรามิกโลหะความถี่สูง (RS3026CJ)

ราคา FOB อ้างอิง: US$1,500-1,900 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

โมดูล IGBT ของ Infineon รุ่นดั้งเดิมขายส่ง Fz600r17ke4 รุ่นอื่น ๆ กรุณาสอบถามบริการลูกค้า

ราคา FOB อ้างอิง: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications

ผลกระทบของวัสดุการกระจายความร้อน Ost40n120hmf 10µ S IGBT

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.1-0.6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

Fmu22u แผ่นพลาสติกซังเคน to-220f ไดโอดฟื้นฟูเร็ว

ราคา FOB อ้างอิง: US$1-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง

Ihw20n65r5xksa1 ทรานซิสเตอร์ Ihw20n65r5 to-247-3 Ihw20n135r5xksa1

ราคา FOB อ้างอิง: US$1.0E-4-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน

ราคาดี Fqp90n10V2 กระแสสูง 65A โมสเฟต N-Channel 60V, สวิตชิ่งเร็ว

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่ต่ำ
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: การกระจายแสง

ออสซิลเลเตอร์ไตรโอดพลังงานสูง ไตรโอดพลังงาน RS3040cl

ราคา FOB อ้างอิง: US$2,000-3,000 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

โมดูล IGBT ฟูจิของแท้ขายส่ง 7mbr75vn120-50, กรุณาติดต่อบริการลูกค้าเพื่อสอบถามเกี่ยวกับรุ่นอื่น ๆ

ราคา FOB อ้างอิง: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications

ความทนทานต่อการลัดวงจร 1200V DC-1 กิโลเฮิร์ตซ์ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในรถยนต์ IGBT

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 660 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ทรานซิสเตอร์ NPN ดั้งเดิม to-92 2n5551 2n5401

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.045 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • ต้นกำเนิด: China

Irfp4368pbf Irfp4468pbf Irfp4568pbf Irfp4668pbf Irfp4710pbf Irfp4768pbf Irfp90n20dpbf Irfps37n50apbf โมสเฟต N-CH 75V 195A To247AC

ราคา FOB อ้างอิง: US$1.0E-4-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • บรรจุภัณฑ์: N/a
  • มาตรฐาน: DIP/SMD
  • มาร์ค: N/A
  • ต้นกำเนิด: Original

Tpdv1240rg เซ็นเซอร์วัดความดันดิจิตอลความแม่นยำสูง (0-12.40MPa ช่วง)

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Box
  • มาตรฐาน: TO-220

เครื่องกำเนิดออสซิลเลเตอร์ความถี่สูง ไตรโอด (ITK70-2, YD1212, YD1202, BW1184J2)

ราคา FOB อ้างอิง: US$3,500-4,500 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC JINGGUANG
  • ต้นกำเนิด: China

โมดูล IGBT ฟูจิของแท้ขายส่ง 2mbi1400vxb-170p-54. สำหรับรุ่นอื่น ๆ กรุณาปรึกษาบริการลูกค้า

ราคา FOB อ้างอิง: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications

พีซีพาวเวอร์มอสเฟตที่มีการสูญเสียการสลับต่ำมาก

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.35-0.6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 600 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ใหม่และต้นฉบับทรานซิสเตอร์ 2sc2688 C2688 to-126

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.1-0.9 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Tube

ต้นฉบับ Irf9335trpbf Irf9335 พี-แชนแนล 30V 5.4A (Ta) 2.5W (Ta) โมสเฟตทรานซิสเตอร์

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Standard

Nce6058K มอเตอร์ไร้แปรง - ผู้ผลิตจากจีน, ราคาที่แข่งขันได้

ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • บรรจุภัณฑ์: Box
  • มาตรฐาน: TO-220

วาล์วสูญญากาศเซรามิกโลหะความถี่สูง (BW1184J2, YD1202)

ราคา FOB อ้างอิง: US$3,500-4,200 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
  • มาร์ค: SETEC
  • ต้นกำเนิด: China

โมดูลพลังงาน IGBT ของ Infineon ขายส่ง FF100r12ks4 FF150r12ks4 FF200r12ks4 FF300r12ks4

ราคา FOB อ้างอิง: US$90-100 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: CE
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • บรรจุภัณฑ์: Original Packaging
  • มาตรฐาน: Standard specifications

ออเรียนทัล เซมิ กรีนมอส ไฮ วอลเทจ มอสเฟต

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.35-0.6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 600 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับ ราคาถูก IC Bom Irfr120n Fr120n to-252 N-Channel 9.4A/100V Mosfet

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.37 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • ต้นกำเนิด: Chn
แสดง: 10 30 50