K4UBE3D4AB-MGCL 32Gb ดีดีพี LPDDR4X ชิปหน่วยความจำ SDRAM K4UBE3D4AB

• การปรับแต่ง: มีอยู่
• ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม
• การผสานรวม: GSI
• ไม่ใช่ ของรุ่น: K4UBE3D4AB-MGCL
• อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃
• รูปร่าง: แบน
• เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ
• จาก: SAM
• D/c: 23+
• แพ็คเกจ: BGA
• คุณภาพ: ต้นฉบับชุดใหม่ของแท้
• สถานะเครื่องพิมพ์: ใช้งานอยู่
• แพคเพจการขนส่ง: และกล่อง
• ข้อมูลจำเพาะ: วงจรในตัว
• ที่มา: จีน
• รหัสพิกัดศุลกากร: 8542399000
• กำลังการผลิต: 1000000pcs

คำอธิบายสินค้า

คำอธิบาย

K4UBE3D4AB-MGCL  :  FBGA-400 200 DDR SDRAM RoHS  

จาก หมายเลขชิ้นส่วน : K4UBE3D4AB-MGCL

เอกสารข้อมูล :  ( ส่งอีเมล์หรือแชทหาเราสำหรับไฟล์ PDF)

สถานะ RoH:  

คุณภาพ : ต้นฉบับ 100 %

การรับประกัน : หนึ่งปี
 ประเภท

 

	หน่วยความจำ / DDR SDRAM
แพ็คเกจ	FBGA-18 200

 

 

 

คุณสมบัติหลัก
•สถาปัตยกรรมแบบ Double-Data Rate การถ่ายโอนข้อมูลสองครั้งต่อหนึ่งรอบสัญญาณนาฬิกา
•ไฟกะพริบข้อมูลสองทิศทาง (DQS_t, DQS_c) ไฟกะพริบชนิดนี้จะถูกส่ง / รับด้วยข้อมูลที่ใช้ในการบันทึกข้อมูลที่ตัวรับ
•อินพุตนาฬิกา Differential (CK_t และ CK_c)
•ไฟกะพริบข้อมูลดิฟเฟอเรนเชียล (DQS_t และ DQS_c)
•คำสั่งและตำแหน่งที่ป้อนขอบ CK บวก ; ข้อมูลและมาสก์ข้อมูลอ้างอิงกับขอบทั้งสองด้านของ DQS
การจัดองค์ประกอบ• 2 ช่องสัญญาณต่อดาย
• 8 ช่องภายในสำหรับแต่ละช่อง
• DMI PIN : DBI ( ข้อมูลบัสไม่ตรงเวอร์ชัน ) เมื่อทำการเขียนและอ่านตามปกติ , Data mask (DM) สำหรับการเขียนที่ถูกมาสก์เมื่อ DBI ปิด - การนับจำนวนของ DQ 1 สำหรับการเขียนที่ถูกมาสก์เมื่อ DBI
•ความยาวต่อเนื่อง : 16 32 (OTF)
•ประเภทภาพต่อเนื่อง : เรียงตามลำดับ
•เวลาแฝงในการอ่านและเขียน : โปรดดูตารางที่ 13.4 เวลา AC
•ตัวเลือกการชาร์จล่วงหน้าอัตโนมัติสำหรับการเข้าถึงภาพต่อเนื่องแต่ละครั้ง
•ความแรงของไดรฟ์ที่กำหนดค่าได้
•รีเฟรชและโหมดรีเฟรชด้วยตนเอง
•ระบบรีเฟรชด้วยตนเองสำหรับอาร์เรย์บางส่วนและระบบรีเฟรชด้วยตนเองแบบชดเชยอุณหภูมิ
•เขียนการปรับระดับ
•การปรับแต่งค่า CA
•การฝึกอบรม VREF ภายในและ VREF
•การฝึกอบรมเขียน / อ่านตามหลัก FIFO
• . คณะกรรมการฯ ( บัญชาการทางอเนกประสงค์ )
• LVSTLE (Low Voltage Swing Bated Logic Extension - การต่อขยายสัญญาณลอจิกชนิดแรงดันไฟฟ้าต่ำ ) IO
• VDD1/VDD2/VDDQ : 1.8V/1.1V/0.6V
•การสิ้นสุด VSSQ
•ไม่มี DLL : CK to DQS ไม่ได้รับการซิงโครไนซ์
•เอาต์พุตข้อมูลจัดแนวขอบ , เขียนการฝึกอบรมสำหรับการจัดแนวศูนย์ข้อมูล
•อัตราการรีเฟรช : 3.9us

 

 

 

 

ใบรับรอง







รายละเอียดบรรจุภัณฑ์ของผลิตภัณฑ์

ทำไมต้องเลือกเรา

• ตั้งอยู่ใน Shenzhen ศูนย์กลางตลาดอิเล็กทรอนิกส์ของประเทศจีน
• 100 % รับประกันคุณภาพของส่วนประกอบ : ของแท้
• มีสต็อกเพียงพอตามความต้องการเร่งด่วนของคุณ
• เพื่อนร่วมงานที่มีความเชี่ยวชาญช่วยคุณแก้ปัญหาเพื่อลดความเสี่ยงของคุณ ด้วยการผลิตแบบออนดีมานด์
• การจัดส่งที่รวดเร็วขึ้น : ส่วนประกอบในสต็อกสามารถจัดส่งได้ภายในวันเดียวกัน
• บริการตลอด 24 ชั่วโมง  

 

ประกาศ :

1. ภาพผลิตภัณฑ์ใช้สำหรับอ้างอิงเท่านั้น
2. คุณสามารถติดต่อพนักงานขายเพื่อสมัคร ในราคาที่ดีขึ้นได้
3.  สำหรับการสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์โปรดติดต่อทีมขายของเรา