



โพสคำขอการจัดซื้อ

การจัดซื้อโดยง่าย

สะดวกมากขึ้น มีประสิทธิภาพมากกว่า

ใบเสนอราคามากมายต่อหนึ่งคำขอ
กำลังมองหาซัพพลายเออร์ที่ตรวจสอบแล้ว
เปรียบเทียบใบเสนอราคาและตัวอย่างคำขอ

โพสต์คำขอของคุณตอนนี้

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

กว่างตง, จีน

ผลิตภัณฑ์หลัก:

IC , Capacitor , Resistor , Electronic Components , Integrated Circuit , Transistor , Relay , Diode , MCU , Connector

การรับรองของระบบการจัดการ:

อื่นๆ

ที่อยู่:

Rm407, No. 103, Lijia Road, Henggang Street, Longgang District, 518115, Shenzhen, Guangdong, China

ตลาดหลัก:

อเมริกาใต้, ยุโรป, เอเชียตะวันออก (ญี่ปุ่น/เกาหลีใต้)

จำนวนพนักงานการค้าต่างประเทศ:

1

ข้อกำหนดทางการค้าระหว่างประเทศ (Incoterms):

FOB, CFR, EXW

บริการ OEM/ODM

ตัวอย่างพร้อมใช้งาน

เยี่ยมชมโรงงานของฉัน

Secured Trading Service

จีน ไอซี, ตัวเก็บประจุ, ตัวต้านทาน, องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์, วงจรรวม, ทรานซิสเตอร์, รีเลย์, ไดโอด, ไมโครคอนโทรลเลอร์, ตัวเชื่อมต่อ ผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ ให้คุณภาพ RK3568 RK3568B2 RK3568J ไมโครคอนโทรลเลอร์ โปรเซสเซอร์ MCU MPU SOC IC, RK809-5 RK809-2 RK809 วงจรจัดการพลังงานที่ซับซ้อน, RK860-2 RK860 ประสิทธิภาพสูง 2.4MHz ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าลดลงแบบซิงโครนัส DC/DC เป็นต้น

สมาชิกไดมอนด์

หน้าหลัก สินค้า ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ติดต่อซัพพลายเออร์

Miss Zora Xu

Sales Manager

ไดโอดและทรานซิสเตอร์

รวมทั้งหมด 177 ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ผลิตภัณฑ์

มุมมองแกลเลอรี่

มุมมองรายการ

1/8

วิดีโอ

CJOT23-SRV05-10 4 ESD ไดโอดจอแบนทีวีไดโอด 23 VWMW-4

CJOT23-SRV05-10 4 ESD ไดโอดจอแบนทีวีไดโอด 23 VWMW-4

CJOT23-SRV05-10 4 ESD ไดโอดจอแบนทีวีไดโอด 23 VWMW-4

CJOT23-SRV05-10 4 ESD ไดโอดจอแบนทีวีไดโอด 23 VWMW-4

CJOT23-SRV05-10 4 ESD ไดโอดจอแบนทีวีไดโอด 23 VWMW-4

CJOT23-SRV05-10 4 ESD ไดโอดจอแบนทีวีไดโอด 23 VWMW-4

CJOT23-SRV05-10 4 ESD ไดโอดจอแบนทีวีไดโอด 23 VWMW-4

ราคา FOB: US$0.22-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: BOURNS

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

127 บาท -600E, Thyristor Trac 600V 27A IC 136-600-600E

127 บาท -600E, Thyristor Trac 600V 27A IC 136-600-600E

127 บาท -600E, Thyristor Trac 600V 27A IC 136-600-600E

127 บาท -600E, Thyristor Trac 600V 27A IC 136-600-600E

127 บาท -600E, Thyristor Trac 600V 27A IC 136-600-600E

127 บาท -600E, Thyristor Trac 600V 27A IC 136-600-600E

127 บาท -600E, Thyristor Trac 600V 27A IC 136-600-600E

ราคา FOB: US$0.1-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: WEEN

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V ทรานซิสเตอร์ N-Channel Power MOSFET

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V ทรานซิสเตอร์ N-Channel Power MOSFET

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V ทรานซิสเตอร์ N-Channel Power MOSFET

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V ทรานซิสเตอร์ N-Channel Power MOSFET

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V ทรานซิสเตอร์ N-Channel Power MOSFET

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V ทรานซิสเตอร์ N-Channel Power MOSFET

IRFP1405PBF IRFP1405 12V-300V ทรานซิสเตอร์ N-Channel Power MOSFET

ราคา FOB: US$1-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: INFINEON

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

DSEI30-06A 600V 50A เฟรดเรคติฟายเออร์ไดโอดเรคติฟายเออร์ TO247

DSEI30-06A 600V 50A เฟรดเรคติฟายเออร์ไดโอดเรคติฟายเออร์ TO247

DSEI30-06A 600V 50A เฟรดเรคติฟายเออร์ไดโอดเรคติฟายเออร์ TO247

DSEI30-06A 600V 50A เฟรดเรคติฟายเออร์ไดโอดเรคติฟายเออร์ TO247

DSEI30-06A 600V 50A เฟรดเรคติฟายเออร์ไดโอดเรคติฟายเออร์ TO247

DSEI30-06A 600V 50A เฟรดเรคติฟายเออร์ไดโอดเรคติฟายเออร์ TO247

DSEI30-06A 600V 50A เฟรดเรคติฟายเออร์ไดโอดเรคติฟายเออร์ TO247

ราคา FOB: US$1.2-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: IXYS

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

DMG2301L-31L-4 7 DM2301L-1 13 ทรานซิสเตอร์ IC ที่ติดตั้ง

DMG2301L-31L-4 7 DM2301L-1 13 ทรานซิสเตอร์ IC ที่ติดตั้ง

DMG2301L-31L-4 7 DM2301L-1 13 ทรานซิสเตอร์ IC ที่ติดตั้ง

DMG2301L-31L-4 7 DM2301L-1 13 ทรานซิสเตอร์ IC ที่ติดตั้ง

DMG2301L-31L-4 7 DM2301L-1 13 ทรานซิสเตอร์ IC ที่ติดตั้ง

DMG2301L-31L-4 7 DM2301L-1 13 ทรานซิสเตอร์ IC ที่ติดตั้ง

DMG2301L-31L-4 7 DM2301L-1 13 ทรานซิสเตอร์ IC ที่ติดตั้ง

ราคา FOB: US$0.03-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: DIODES

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

เอ็มบีอาร์เอ340ที3จี เอ็มบีอาร์เอ340 ไดโอดช็อตกี้ รีคติฟายเออร์ ซิลิคอน 40 โวลต์ 3 แอมป์ เอสเอ็มเอ ไดโอด

เอ็มบีอาร์เอ340ที3จี เอ็มบีอาร์เอ340 ไดโอดช็อตกี้ รีคติฟายเออร์ ซิลิคอน 40 โวลต์ 3 แอมป์ เอสเอ็มเอ ไดโอด

เอ็มบีอาร์เอ340ที3จี เอ็มบีอาร์เอ340 ไดโอดช็อตกี้ รีคติฟายเออร์ ซิลิคอน 40 โวลต์ 3 แอมป์ เอสเอ็มเอ ไดโอด

เอ็มบีอาร์เอ340ที3จี เอ็มบีอาร์เอ340 ไดโอดช็อตกี้ รีคติฟายเออร์ ซิลิคอน 40 โวลต์ 3 แอมป์ เอสเอ็มเอ ไดโอด

เอ็มบีอาร์เอ340ที3จี เอ็มบีอาร์เอ340 ไดโอดช็อตกี้ รีคติฟายเออร์ ซิลิคอน 40 โวลต์ 3 แอมป์ เอสเอ็มเอ ไดโอด

เอ็มบีอาร์เอ340ที3จี เอ็มบีอาร์เอ340 ไดโอดช็อตกี้ รีคติฟายเออร์ ซิลิคอน 40 โวลต์ 3 แอมป์ เอสเอ็มเอ ไดโอด

เอ็มบีอาร์เอ340ที3จี เอ็มบีอาร์เอ340 ไดโอดช็อตกี้ รีคติฟายเออร์ ซิลิคอน 40 โวลต์ 3 แอมป์ เอสเอ็มเอ ไดโอด

ราคา FOB: US$0.1-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: ONSEMI

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

6N137SDM 6N137SM 6N137M เกตตรรกะทรานซิสเตอร์ ออปโตคัปเปลเลอร์

6N137SDM 6N137SM 6N137M เกตตรรกะทรานซิสเตอร์ ออปโตคัปเปลเลอร์

6N137SDM 6N137SM 6N137M เกตตรรกะทรานซิสเตอร์ ออปโตคัปเปลเลอร์

6N137SDM 6N137SM 6N137M เกตตรรกะทรานซิสเตอร์ ออปโตคัปเปลเลอร์

6N137SDM 6N137SM 6N137M เกตตรรกะทรานซิสเตอร์ ออปโตคัปเปลเลอร์

6N137SDM 6N137SM 6N137M เกตตรรกะทรานซิสเตอร์ ออปโตคัปเปลเลอร์

6N137SDM 6N137SM 6N137M เกตตรรกะทรานซิสเตอร์ ออปโตคัปเปลเลอร์

ราคา FOB: US$0.04-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: ONSEMI

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

ไดโอดป้องกันไฟฟ้าสถิต SM712-02HTG ไดโอด TVS 600W ไดโอดลดแรงดันไฟฟ้าสถิต

ไดโอดป้องกันไฟฟ้าสถิต SM712-02HTG ไดโอด TVS 600W ไดโอดลดแรงดันไฟฟ้าสถิต

ไดโอดป้องกันไฟฟ้าสถิต SM712-02HTG ไดโอด TVS 600W ไดโอดลดแรงดันไฟฟ้าสถิต

ไดโอดป้องกันไฟฟ้าสถิต SM712-02HTG ไดโอด TVS 600W ไดโอดลดแรงดันไฟฟ้าสถิต

ไดโอดป้องกันไฟฟ้าสถิต SM712-02HTG ไดโอด TVS 600W ไดโอดลดแรงดันไฟฟ้าสถิต

ไดโอดป้องกันไฟฟ้าสถิต SM712-02HTG ไดโอด TVS 600W ไดโอดลดแรงดันไฟฟ้าสถิต

ไดโอดป้องกันไฟฟ้าสถิต SM712-02HTG ไดโอด TVS 600W ไดโอดลดแรงดันไฟฟ้าสถิต

ราคา FOB: US$0.15-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: LITTELFUSE

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

ไออาร์เอฟ4905พีบีเอฟ ไออาร์เอฟ4905 โมสเฟตทรานซิสเตอร์ พี-ชาร์จ ซิลิคอน 55โวลต์ 74แอมป์ พี-โมสเฟต ยูนิโพลาร์ ไอซี

ไออาร์เอฟ4905พีบีเอฟ ไออาร์เอฟ4905 โมสเฟตทรานซิสเตอร์ พี-ชาร์จ ซิลิคอน 55โวลต์ 74แอมป์ พี-โมสเฟต ยูนิโพลาร์ ไอซี

ไออาร์เอฟ4905พีบีเอฟ ไออาร์เอฟ4905 โมสเฟตทรานซิสเตอร์ พี-ชาร์จ ซิลิคอน 55โวลต์ 74แอมป์ พี-โมสเฟต ยูนิโพลาร์ ไอซี

ไออาร์เอฟ4905พีบีเอฟ ไออาร์เอฟ4905 โมสเฟตทรานซิสเตอร์ พี-ชาร์จ ซิลิคอน 55โวลต์ 74แอมป์ พี-โมสเฟต ยูนิโพลาร์ ไอซี

ไออาร์เอฟ4905พีบีเอฟ ไออาร์เอฟ4905 โมสเฟตทรานซิสเตอร์ พี-ชาร์จ ซิลิคอน 55โวลต์ 74แอมป์ พี-โมสเฟต ยูนิโพลาร์ ไอซี

ไออาร์เอฟ4905พีบีเอฟ ไออาร์เอฟ4905 โมสเฟตทรานซิสเตอร์ พี-ชาร์จ ซิลิคอน 55โวลต์ 74แอมป์ พี-โมสเฟต ยูนิโพลาร์ ไอซี

ไออาร์เอฟ4905พีบีเอฟ ไออาร์เอฟ4905 โมสเฟตทรานซิสเตอร์ พี-ชาร์จ ซิลิคอน 55โวลต์ 74แอมป์ พี-โมสเฟต ยูนิโพลาร์ ไอซี

ราคา FOB: US$0.6-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: INFINEON

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

ไดโอดช็อตกี้ประเภทอิสระ 40V

ไดโอดช็อตกี้ประเภทอิสระ 40V

ไดโอดช็อตกี้ประเภทอิสระ 40V

ไดโอดช็อตกี้ประเภทอิสระ 40V

ไดโอดช็อตกี้ประเภทอิสระ 40V

ไดโอดช็อตกี้ประเภทอิสระ 40V

ไดโอดช็อตกี้ประเภทอิสระ 40V

ราคา FOB: US$0.06-340 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: JSMICRO

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

PMBT3904,215 PMBT3904 ซีรีส์ 40 วี 200 มิลลิแอมป์ เอสเอ็มที เอ็นพีเอ็น สวิตชิงทรานซิสเตอร์

PMBT3904,215 PMBT3904 ซีรีส์ 40 วี 200 มิลลิแอมป์ เอสเอ็มที เอ็นพีเอ็น สวิตชิงทรานซิสเตอร์

PMBT3904,215 PMBT3904 ซีรีส์ 40 วี 200 มิลลิแอมป์ เอสเอ็มที เอ็นพีเอ็น สวิตชิงทรานซิสเตอร์

PMBT3904,215 PMBT3904 ซีรีส์ 40 วี 200 มิลลิแอมป์ เอสเอ็มที เอ็นพีเอ็น สวิตชิงทรานซิสเตอร์

PMBT3904,215 PMBT3904 ซีรีส์ 40 วี 200 มิลลิแอมป์ เอสเอ็มที เอ็นพีเอ็น สวิตชิงทรานซิสเตอร์

PMBT3904,215 PMBT3904 ซีรีส์ 40 วี 200 มิลลิแอมป์ เอสเอ็มที เอ็นพีเอ็น สวิตชิงทรานซิสเตอร์

PMBT3904,215 PMBT3904 ซีรีส์ 40 วี 200 มิลลิแอมป์ เอสเอ็มที เอ็นพีเอ็น สวิตชิงทรานซิสเตอร์

ราคา FOB: US$0.072-15 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรรวมไอซียูโนโพลาร์

การผสานรวม: ULSI -> ยูแอลเอสไอ

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: SMD

เทคนิคส์: วงจรฟิล์มบาง

D/C: 17+

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

STGD4M65DF2 ประตูร่อง ชิปทรานซิสเตอร์ IGBT

STGD4M65DF2 ประตูร่อง ชิปทรานซิสเตอร์ IGBT

STGD4M65DF2 ประตูร่อง ชิปทรานซิสเตอร์ IGBT

STGD4M65DF2 ประตูร่อง ชิปทรานซิสเตอร์ IGBT

STGD4M65DF2 ประตูร่อง ชิปทรานซิสเตอร์ IGBT

STGD4M65DF2 ประตูร่อง ชิปทรานซิสเตอร์ IGBT

STGD4M65DF2 ประตูร่อง ชิปทรานซิสเตอร์ IGBT

ราคา FOB: US$0.072-15 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรรวมไอซียูนิโพลาร์

การผสานรวม: ULSI ย่อมาจาก Ultra Large Scale Integration ซึ่งเป็นเทคโนโลยีการผสมผสานวงจรขนาดใหญ่มากในชิพเดียว

เทคนิคส์: วงจรฟิล์มบาง

MFG.: ST

D/C: 17+

Package: DPAK-3

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

STP55NF06 ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH 60V 50A

STP55NF06 ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH 60V 50A

STP55NF06 ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH 60V 50A

STP55NF06 ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH 60V 50A

STP55NF06 ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH 60V 50A

STP55NF06 ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH 60V 50A

STP55NF06 ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH 60V 50A

ราคา FOB: US$0.072-15 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ประเภททางการนำ: วงจรรวมไอซียูนิโพลาร์

การผสานรวม: ULSI ย่อมาจาก Ultra Large Scale Integration ซึ่งเป็นเทคโนโลยีการผสมผสานวงจรขนาดใหญ่มากในชิพเดียว

เทคนิคส์: วงจรฟิล์มบาง

MFG.: ST

D/C: 17+

Package: TO-220

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

Lm358p ตัวขยายสัญญาณต่ำพลังงานแบบคู่ / ทรานซิสเตอร์ / วงจรรวม (IC)

Lm358p ตัวขยายสัญญาณต่ำพลังงานแบบคู่ / ทรานซิสเตอร์ / วงจรรวม (IC)

Lm358p ตัวขยายสัญญาณต่ำพลังงานแบบคู่ / ทรานซิสเตอร์ / วงจรรวม (IC)

Lm358p ตัวขยายสัญญาณต่ำพลังงานแบบคู่ / ทรานซิสเตอร์ / วงจรรวม (IC)

Lm358p ตัวขยายสัญญาณต่ำพลังงานแบบคู่ / ทรานซิสเตอร์ / วงจรรวม (IC)

Lm358p ตัวขยายสัญญาณต่ำพลังงานแบบคู่ / ทรานซิสเตอร์ / วงจรรวม (IC)

Lm358p ตัวขยายสัญญาณต่ำพลังงานแบบคู่ / ทรานซิสเตอร์ / วงจรรวม (IC)

ราคา FOB: US$0.072-15 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ประเภททางการนำ: วงจรรวมไอซียูนิโพลาร์

การผสานรวม: ULSI ย่อมาจาก Ultra Large Scale Integration ซึ่งเป็นเทคโนโลยีการผสมผสานวงจรขนาดใหญ่มากในชิพเดียว

เทคนิคส์: วงจรฟิล์มบาง

MFG.: TI

D/C: 17+

Package: TSSOP-8

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

STD20NF20 ทรานซิสเตอร์ โมสเฟต เอ็น-แชนแนล 200V 18A

STD20NF20 ทรานซิสเตอร์ โมสเฟต เอ็น-แชนแนล 200V 18A

STD20NF20 ทรานซิสเตอร์ โมสเฟต เอ็น-แชนแนล 200V 18A

STD20NF20 ทรานซิสเตอร์ โมสเฟต เอ็น-แชนแนล 200V 18A

STD20NF20 ทรานซิสเตอร์ โมสเฟต เอ็น-แชนแนล 200V 18A

STD20NF20 ทรานซิสเตอร์ โมสเฟต เอ็น-แชนแนล 200V 18A

STD20NF20 ทรานซิสเตอร์ โมสเฟต เอ็น-แชนแนล 200V 18A

ราคา FOB: US$11-12 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรรวมไอซียูโนโพลาร์

การผสานรวม: MSI

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: ST

D/C: 17+

Package: DPAK

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

uln2003adr ทรานซิสเตอร์ NPN ของดาร์ลิงตัน uln2003

uln2003adr ทรานซิสเตอร์ NPN ของดาร์ลิงตัน uln2003

uln2003adr ทรานซิสเตอร์ NPN ของดาร์ลิงตัน uln2003

uln2003adr ทรานซิสเตอร์ NPN ของดาร์ลิงตัน uln2003

uln2003adr ทรานซิสเตอร์ NPN ของดาร์ลิงตัน uln2003

uln2003adr ทรานซิสเตอร์ NPN ของดาร์ลิงตัน uln2003

uln2003adr ทรานซิสเตอร์ NPN ของดาร์ลิงตัน uln2003

ราคา FOB: US$0.1-0.5 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์รวมแบบชิพ

การผสานรวม: MSI

ประเภทการติดตั้ง: SMT

อุณหภูมิการทำงาน: -40℃ - 85℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไซเมคอนดักตอร์

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

BC817-40 BC817 ทรานซิสเตอร์ NPN 45V 0.8A SOT23

BC817-40 BC817 ทรานซิสเตอร์ NPN 45V 0.8A SOT23

BC817-40 BC817 ทรานซิสเตอร์ NPN 45V 0.8A SOT23

BC817-40 BC817 ทรานซิสเตอร์ NPN 45V 0.8A SOT23

BC817-40 BC817 ทรานซิสเตอร์ NPN 45V 0.8A SOT23

BC817-40 BC817 ทรานซิสเตอร์ NPN 45V 0.8A SOT23

BC817-40 BC817 ทรานซิสเตอร์ NPN 45V 0.8A SOT23

ราคา FOB: US$0.01-200 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: MSI

อุณหภูมิการทำงาน: -40℃ - 85℃

รูปร่าง: hqfp64

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

D/C: 20+

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

ออริจินัล ULN2803ADWR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A 18-Pin SOIC อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

ออริจินัล ULN2803ADWR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A 18-Pin SOIC อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

ออริจินัล ULN2803ADWR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A 18-Pin SOIC อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

ออริจินัล ULN2803ADWR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A 18-Pin SOIC อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

ออริจินัล ULN2803ADWR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A 18-Pin SOIC อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

ออริจินัล ULN2803ADWR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A 18-Pin SOIC อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

ออริจินัล ULN2803ADWR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A 18-Pin SOIC อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

ราคา FOB: US$2-2.5 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: MSI

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: TI

D/C: 22+

Package: SOIC18

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

ULN2003D1013TR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A ทรานซิสเตอร์

ULN2003D1013TR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A ทรานซิสเตอร์

ULN2003D1013TR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A ทรานซิสเตอร์

ULN2003D1013TR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A ทรานซิสเตอร์

ULN2003D1013TR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A ทรานซิสเตอร์

ULN2003D1013TR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A ทรานซิสเตอร์

ULN2003D1013TR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A ทรานซิสเตอร์

ราคา FOB: US$0.1-200 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 500 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: MSI

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: STMICRO

D/C: 22+

Package: soic16

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

BC857C ทรานซิสเตอร์ PNP 100mA 65V ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว

BC857C ทรานซิสเตอร์ PNP 100mA 65V ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว

BC857C ทรานซิสเตอร์ PNP 100mA 65V ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว

BC857C ทรานซิสเตอร์ PNP 100mA 65V ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว

BC857C ทรานซิสเตอร์ PNP 100mA 65V ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว

BC857C ทรานซิสเตอร์ PNP 100mA 65V ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว

BC857C ทรานซิสเตอร์ PNP 100mA 65V ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว

ราคา FOB: US$0.012-200 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 500 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: MSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: hqfp64

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

D/C: 22+

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

PBSS5350Z ซีรีส์ 50V 3A ทรานซิสเตอร์ PNP แบบติดตั้งพื้นผิวที่มี VCEsat ต่ำ

PBSS5350Z ซีรีส์ 50V 3A ทรานซิสเตอร์ PNP แบบติดตั้งพื้นผิวที่มี VCEsat ต่ำ

PBSS5350Z ซีรีส์ 50V 3A ทรานซิสเตอร์ PNP แบบติดตั้งพื้นผิวที่มี VCEsat ต่ำ

PBSS5350Z ซีรีส์ 50V 3A ทรานซิสเตอร์ PNP แบบติดตั้งพื้นผิวที่มี VCEsat ต่ำ

PBSS5350Z ซีรีส์ 50V 3A ทรานซิสเตอร์ PNP แบบติดตั้งพื้นผิวที่มี VCEsat ต่ำ

PBSS5350Z ซีรีส์ 50V 3A ทรานซิสเตอร์ PNP แบบติดตั้งพื้นผิวที่มี VCEsat ต่ำ

PBSS5350Z ซีรีส์ 50V 3A ทรานซิสเตอร์ PNP แบบติดตั้งพื้นผิวที่มี VCEsat ต่ำ

ราคา FOB: US$0.07-200 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 500 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: MSI

อุณหภูมิการทำงาน: -40℃ - 85℃

รูปร่าง: hqfp64

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

D/C: 22+

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

ULN2003ADR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A รายการวัสดุสำหรับทรานซิสเตอร์บริการ

ULN2003ADR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A รายการวัสดุสำหรับทรานซิสเตอร์บริการ

ULN2003ADR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A รายการวัสดุสำหรับทรานซิสเตอร์บริการ

ULN2003ADR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A รายการวัสดุสำหรับทรานซิสเตอร์บริการ

ULN2003ADR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A รายการวัสดุสำหรับทรานซิสเตอร์บริการ

ULN2003ADR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A รายการวัสดุสำหรับทรานซิสเตอร์บริการ

ULN2003ADR ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตัน NPN 50V 0.5A รายการวัสดุสำหรับทรานซิสเตอร์บริการ

ราคา FOB: US$0.1-0.2 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,500 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรรวมไอซียูโนโพลาร์

การผสานรวม: LSI

เทคนิคส์: วงจรฟิล์มหนา

MFG.: TI

D/C: 22+

Package: SOIC16

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

CSD17579Q5A CSD17579Q5AT 30V ทรานซิสเตอร์ N-MOSFET แบบยูนิโพลาร์ IC

CSD17579Q5A CSD17579Q5AT 30V ทรานซิสเตอร์ N-MOSFET แบบยูนิโพลาร์ IC

CSD17579Q5A CSD17579Q5AT 30V ทรานซิสเตอร์ N-MOSFET แบบยูนิโพลาร์ IC

CSD17579Q5A CSD17579Q5AT 30V ทรานซิสเตอร์ N-MOSFET แบบยูนิโพลาร์ IC

CSD17579Q5A CSD17579Q5AT 30V ทรานซิสเตอร์ N-MOSFET แบบยูนิโพลาร์ IC

CSD17579Q5A CSD17579Q5AT 30V ทรานซิสเตอร์ N-MOSFET แบบยูนิโพลาร์ IC

CSD17579Q5A CSD17579Q5AT 30V ทรานซิสเตอร์ N-MOSFET แบบยูนิโพลาร์ IC

ราคา FOB: US$0.5-60 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: TI

ติดต่อตอนนี้

วิดีโอ

CSD19502Q5B CSD19502Q5BT ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH ซิลิคอน 80V 100A ทรานซิสเตอร์

CSD19502Q5B CSD19502Q5BT ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH ซิลิคอน 80V 100A ทรานซิสเตอร์

CSD19502Q5B CSD19502Q5BT ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH ซิลิคอน 80V 100A ทรานซิสเตอร์

CSD19502Q5B CSD19502Q5BT ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH ซิลิคอน 80V 100A ทรานซิสเตอร์

CSD19502Q5B CSD19502Q5BT ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH ซิลิคอน 80V 100A ทรานซิสเตอร์

CSD19502Q5B CSD19502Q5BT ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH ซิลิคอน 80V 100A ทรานซิสเตอร์

CSD19502Q5B CSD19502Q5BT ทรานซิสเตอร์ MOSFET N-CH ซิลิคอน 80V 100A ทรานซิสเตอร์

ราคา FOB: US$3-60 / บางส่วน

คำสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ประเภทการนำไฟฟ้าได้: วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม: GSI

อุณหภูมิการทำงาน: -55℃ - 125℃

รูปร่าง: แบน

เทคนิคส์: วงจรรวมไอซีชิพ

MFG.: TI

ติดต่อตอนนี้

แสดง: 24 36 48

Copyright ©2025Focus Technology Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
Focusจะไม่รับผิดชอบต่อความแตกต่างระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษและเวอร์ชันภาษาอื่นของเว็บไซต์ หากมีความขัดแย้งใด ๆ ให้ใช้เวอร์ชันภาษาอังกฤษเป็นหลัก การใช้ไซต์นี้ของคุณอยู่ภายใต้และถือเป็นการรับทราบและยอมรับ ของเรา ข้อกำหนดและเงื่อนไข