การสนับสนุนวงแหวนสำหรับการเจริญผลึกเซมิคอนดักเตอร์

• การปรับแต่ง: มีอยู่
• บริการหลังการขาย: การสนับสนุนทางเทคนิค
• ประกันสินค้า: 2 ปี
• ไม่ใช่ ของรุ่น: Raytek-ZN004
• แพคเพจการขนส่ง: แพ็คเกจแบบละเอียด
• ข้อมูลจำเพาะ: ตามที่ร้องขอ
• เครื่องหมายการค้า: เรยกเทค
• ที่มา: จีน
• รหัสพิกัดศุลกากร: 38019090
• กำลังการผลิต: 50000 ปี

คำอธิบายสินค้า

ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการตรวจสอบเป็นกลุ่มโดยลูกค้าสารกึ่งตัวนำขนาด 8-12 นิ้วจำนวนมากและ ใช้ในการเติบโตของคริสตัลใน SIC, EUR,SIC และ PVT โดยมีข้อดีดังนี้ :

 ทนทานต่ออุณหภูมิสูงถึง 1 องศา    
 2 ทนทานต่อความร้อนกระแทกได้ดีเยี่ยม  
 3 มีการกัดกร่อนของกรดและด่างอย่างดีเยี่ยม
 4 ป้องกันการคายประจุของอนุภาคเพลท
 5 ความสามารถในการอัดอากาศนั้นยอดเยี่ยมและครอบคลุมรูขุมขนทุกรู ของซับสเตรต
6 มีความต้านทานต่อการออกซิเดชัน / การทำให้เกิดซิลิโคนในอุณหภูมิสูง  
 

D. คุณลักษณะทางฟิสิกส์ของ D.Pyrro
ความหนาแน่น	มก ./ ม	2.2	2.2
ความแข็ง	HSD	100	-
สภาพต้านทาน	ø μΩ·ม	2.00 4.00	2 ถึง 5x10
สัมประสิทธิ์การขยายตัวเมื่อได้รับความร้อน RT-500 º C	105 กม	< 2.2	28
ความทนต่อแรงดึง	MPa	110	-
โมดูลัสของ Yang	GPA	30	-
การนำความร้อน	พร้อม ( ม·. K)	170-420	3
ระบายอากาศได้ดี	%	-	0
ส่วนสะท้อนแสงอินฟราเรดบนพื้นผิว	%	-	50

D. คุณลักษณะทางฟิสิกส์ของ SIC
คำอธิบาย	หน่วย	พารามิเตอร์
ความหนาแน่น	g/cm3	3.2
ชนิดผลึก		β -SIC
ความแข็ง	ฮ่องกง	2800
ความต้านทานการกัดกร่อน	MPa	170
โมดูลของ Yang	GPA	320Gpa
แรงในการยึดอุณหภูมิห้องและการเคลือบ	MPa	>8Mpa
ขนาดที่เป็นไปได้	มม	0~2400
ความหนาของส่วนถอนเงิน	เอ่อ	10~1000
การนำไฟฟ้า Teral	พร้อมด้วย /M.K)	290
ส่วนสะท้อนแสงอินฟราเรดบนพื้นผิว	%	23
ผู้รับมอบหักออก		การกลายเป็นกลุ่มไฟและคาร์บอนกลายเป็นคาร์บอนกลายเป็นคาร์บอนที่ผ่านการเผาผนึกด้วยซิลิคอนผสมคาร์บอน
		ซิลิกอนคาร์ไบด์ซิลิโคนที่ไม่มีแรงดัน