Gx6n60 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม คอมโพเนนต์ของโท 220 ชิ้นส่วน 600V 6.2A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx20n50 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม คอมโพเนนต์ไปยัง 3P ชิ้นส่วน 500V 0A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
7002Csa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์ Component Sot23 พาร์ท 60V 0.3A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx460 High Quality N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม คอมโพเนนต์ไปยัง -3P ชิ้นส่วน 500V 20A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
2302nsa - S High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 ส่วน 20V 2A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx9n90 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบของ component Toyp Parts 900V 8A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx10n60 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม คอมโพเนนต์ T220 ชิ้นส่วน 600V 9.5A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Wgp50r140 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม อุปกรณ์เครื่องปิ้งโปรเซนเซอร์โปรเซนเซอร์เครื่องนี้ใช้โปร
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Wgu9n20 High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 พาร์ท 200V 9A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx6n40 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบถึง 220 ส่วน 400V 5.5A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx6n80 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน TO220 ชิ้นส่วน 800V 2.5A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Wgp65r500 High Quality Medium Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม อุปกรณ์เครื่องปิ้งโปรเซนเซอร์โปรเซนเซอร์โปรเซ
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx6n90 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม คอมโพเนนต์ T220 Parts 900V 6A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
2324nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 พาร์ท 100V 2A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
3422nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 พาร์ท 55V 2.1A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx2n80 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม อุปกรณ์เครื่องเล่นโปรเซนเซอร์เครื่องเล่นโปรเซนเซอร์เครื่องเล่นโป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
2306nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 พาร์ท 30V 3.16A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Wgp20n50 High Quality Medium Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม อุปกรณ์ TO220 Parts 500V 20A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx1n60 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบ T126 ชิ้นส่วน 600V 0.4A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Wgd50r550 High Quality Medium Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม อุปกรณ์เครื่องนี้จะทำการตรวจสอบโดยอัตโนมัติ
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
3416nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 ส่วน 20V 6.5A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx5n90 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม คอมโพเนนต์ T220 Parts 900V 5A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Wgp65r300 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Toy251 Parts 650V 15A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx9n90 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม คอมโพเนนต์โพเนนต์ /220f ส่วน 900V 9A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx1n60 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบ T92 Parts 600V 0.4A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Wgp9n25 High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม คอมโพเนนต์โต 220 ชิ้นส่วน 250V 8.1A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
2312nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 ส่วน 20V 5A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx3n80 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน 251 ส่วน 800V 3A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
Gx1n65 High Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ส่วนประกอบถึง 126 พาร์ท 650V 0.5A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
3404nsa High Quality Low Voltage N Channel MOSFET ทรานซิสเตอร์เดิม ชิ้นส่วน Sot23 ชิ้นส่วน 30V 5.8A
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- รัฐ / จังหวัด: Jiangsu, China
