พบประมาณ 2666 สินค้า

โมสเฟตทรานซิสเตอร์ Irfp90n20 Irfp90n20d 90n20 to-247 พาวเวอร์ไตรโอด

ราคา FOB อ้างอิง: US$6.26 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน

ใหม่ Bc877 Bc879 To92 1000 ม้า, 80 วี, NPN, ซิลิคอน, ทรานซิสเตอร์สัญญาณขนาดเล็ก

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.48 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: NPN
  • วัสดุ: ซิลิคอน

Tk10A60d ทรานซิสเตอร์ไอซีสวิตช์พลังงานท่อฟิลด์เอฟเฟกต์ของพลาสมาของเหลวชนิด N-Channel

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.45-2.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • บรรจุภัณฑ์: Carton

Mmbta42lt1g ต้นฉบับ Sot-23-3 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ Mmbta42lt1g

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.12-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • มาตรฐาน: Tube
  • มาร์ค: JDP
  • ต้นกำเนิด: China

ต้นฉบับ 2sc5570 20K/15K ทรานซิสเตอร์พลังงานของอัลตราโซนิก

ราคา FOB อ้างอิง: US$2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม
  • มาตรฐาน: power

2SA2169 ซันโย 50V 10A A2169 ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (BJT)

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.25 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: PNP
  • บรรจุภัณฑ์: Standard
  • กำลังการผลิต: 10000

ใหม่และต้นฉบับส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์แอลซีดีแหล่งจ่ายไฟทรานซิสเตอร์ 30f124

ราคา FOB อ้างอิง: US$2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • บรรจุภัณฑ์: Carton

ซีนเนอร์ไดโอด Bzx84-C5V1/Lf1r to-236ab Sot23

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.02-0.04 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • กำลังการผลิต: 10000

Ikw25n120t2 Ikw25t120 K25t1202 25A 1200V พลังงาน IGBT

ราคา FOB อ้างอิง: US$5.14-6.27 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode

คุณภาพสูง K2717 ไอซี โมส ฟิลด์ เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์

ราคา FOB อ้างอิง: US$1.39-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง

ทรานซิสเตอร์โมสเฟต N-CH 25V 220mA Sot23 Fdv301n

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.85-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 5,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • มาตรฐาน: Tube
  • มาร์ค: JDP
  • ต้นกำเนิด: China

ทรานซิสเตอร์ใหม่ Stgwt40h65dfb Gwt40h65dfb ไอจีบีที 650V80A Gwt40h65

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.8-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: NPN
  • วัสดุ: ซิลิคอน

Fqd50n06 50A 60V เอ็น-แอนเนล 50n06 แพท 252 โมสเฟต ฟิลด์ เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.09-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 20 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

Ihw20n135r3 ทรานซิสเตอร์กำลังสูงวงจรรวม

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.8-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน

หลอดไตรโอดกำลังสูงต้นฉบับ IC Spw47n60cfd

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.52-1.69 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • โครงสร้าง: PNP

Sgw20n60 G20n60 เครื่องเชื่อม IGBT 600V 20A

ราคา FOB อ้างอิง: US$2.1-4.09 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • ต้นกำเนิด: China

ออปโตคัปเปอร์ กระแสตรงเข้า 1-CH ทรานซิสเตอร์ กระแสตรงออก 4-Pin พีดิพ ไอซี Tlp781

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.1-9 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

วงจรรวมต้นฉบับ Irfz34n ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์พลังงาน Irfz34n

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.31-2.16 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • มาร์ค: International Rectifier

ทรานซิสเตอร์ Fqpf10n20c 10n20c 10A 200V เอ็น-แชนแนล มอสเฟต

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.65-0.9 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

2sc3356 R25 0.1A/12V NPN Sot23 ทรานซิสเตอร์ SMD

ราคา FOB อ้างอิง: US$1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: NPN
  • วัสดุ: ซิลิคอน

ทริโอด C3856 การใช้งานเสียงและทั่วไป ทรานซิสเตอร์พลังงาน NPN 2sc3856

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.42-0.59 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 25 ชิ้น
  • บรรจุภัณฑ์: Tube
  • มาตรฐาน: /
  • มาร์ค: /
  • ต้นกำเนิด: China

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Mbr6045wtpbf to-247 (AC) ไดโอด ไดโอดช็อตกี้

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.36-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย

แบรนด์ใหม่ของแท้ Pbss4350X ซิลkscreen S43 แพ็คเกจ Sot-89 พีเอ็นพี ทรานซิสเตอร์ มืออาชีพแบบเดี่ยว

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.23-0.43 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • โครงสร้าง: PNP
  • บรรจุภัณฑ์: Standard Packaging-Brand New

30j124 Gt30j124 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตฉนวนชนิดซิลิคอน N ช่อง IGBT

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.36 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • มาตรฐาน: power

รายการชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวมชิป Ap8022

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.25 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
  • ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง

ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์พลังงาน MOS Smk0825

ราคา FOB อ้างอิง: US$1.47-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ R6015anx ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์โมส to-220f แพ็คเกจ

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.5-1.6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
  • ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน

H25r1203 H25r1202 25A1200V ทรานซิสเตอร์พลังงานเตาแม่เหล็กไฟฟ้า

ราคา FOB อ้างอิง: US$7.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • กำลังการผลิต: 10000

Bzx84c6V8 Bzx84-C6V8 Z5 6.8V Sot-23 ซีนเนอร์ไดโอด

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.0078-0.008 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
  • ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
  • วัสดุ: ซิลิคอน

ต้นฉบับในสต็อกทรานซิสเตอร์ Sot-23 (SOT-23-3) Bc817-25

ราคา FOB อ้างอิง: US$0.012-0.013 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
  • ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
  • บรรจุภัณฑ์: Tape
  • กำลังการผลิต: 1000000
แสดง: 10 30 50