ทริโอดสูญญากาศเซรามิกโลหะความถี่สูง (3CPX1500A7)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$700-900 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ใหม่ ทรานซิสเตอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.02 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10,000 ชิ้น
- บรรจุภัณฑ์: Carton Box
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ทรานซิสเตอร์ใหม่ Stgwt40h65dfb Gwt40h65dfb ไอจีบีที 650V80A Gwt40h65
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.8-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: NPN
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ท่อสูญญากาศเซรามิกโลหะ (3CPX1500A7)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$700-900 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ทรานซิสเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ใหม่
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.03 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 3,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 3,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- บรรจุภัณฑ์: Carton Box
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ต้นฉบับ 2sc5570 20K/15K ทรานซิสเตอร์พลังงานของอัลตราโซนิก
ราคา FOB อ้างอิง:
US$2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- วัสดุ: เจอร์เมเนียม
- มาตรฐาน: power
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทริโอดโลหะเซรามิกอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง (ITK3-1)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$600-700 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์พลังงาน MOS Smk0825
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.47-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ท่ออิเล็กทรอนิกส์เซรามิกโลหะ RF (3CPX1500A7)
ราคา FOB อ้างอิง:
US$700-900 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Foam Packing
- มาร์ค: SETEC
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Zhejiang, China
แพทช์ Bav70lt1g Sot-23 100V/200mA 1 คู่ไดโอดสวิตช์คอมมอนแคโทด
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.04-0.06 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ใหม่ to-220 100V 9.7A พาวเวอร์มอสเฟต Irf520n Irf520npbf
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.28-0.3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 50 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 50 ชิ้น
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ออปโตคัปเปอร์ กระแสตรงเข้า 1-CH ทรานซิสเตอร์ กระแสตรงออก 4-Pin พีดิพ ไอซี Tlp781
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-9 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- วัสดุ: เจอร์เมเนียม
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Spw17n80c3 800V17A ทรานซิสเตอร์ MOS N-Channel 227W ทรานซิสเตอร์ To247
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.66-1.69 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Carton
- มาร์ค: Brand new original
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ต้นฉบับ K2500 ทรานซิสเตอร์กำลังความถี่สูง 2sk2500
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- กำลังการผลิต: 10000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไดโอดฟื้นฟูเร็วใหม่ 20A200V D92-02
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: โลหะผสม
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
2SA2151A A2151A 2sc6011A C6011A to-3p 15A 230V ทรานซิสเตอร์ขยายเสียง
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5-1.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน
- โครงสร้าง: PNP
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Irfs630A 200V6.5A ผลกระทบสนาม Irfi630 To220 ทรานซิสเตอร์ NPN ใหม่
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.4095-1.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- ต้นกำเนิด: China
- กำลังการผลิต: 10000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
H25r1203 H25r1202 25A1200V ทรานซิสเตอร์พลังงานเตาแม่เหล็กไฟฟ้า
ราคา FOB อ้างอิง:
US$7.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- กำลังการผลิต: 10000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ต้นฉบับในสต็อกทรานซิสเตอร์ Sot-23 (SOT-23-3) Bc817-25
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.012-0.013 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Tape
- กำลังการผลิต: 1000000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Tk10A60d ทรานซิสเตอร์ไอซีสวิตช์พลังงานท่อฟิลด์เอฟเฟกต์ของพลาสมาของเหลวชนิด N-Channel
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.45-2.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- บรรจุภัณฑ์: Carton
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
2sc5859 C5859 ทรานซิสเตอร์หลอดทีวีไตรโอด 23A 1700V 210W
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1-1.3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: PNP
- วัสดุ: ซิลิคอน
- มาตรฐาน: Package TO-126F
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Mmbta42lt1g ต้นฉบับ Sot-23-3 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ Mmbta42lt1g
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.12-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 500 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- มาตรฐาน: Tube
- มาร์ค: JDP
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
2n2222 2n2222A 0.6A 30V ทรานซิสเตอร์สัญญาณขนาดเล็ก NPN
ราคา FOB อ้างอิง:
US$2.20 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- มาตรฐาน: Package form TO-92
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Ipb60r125cp โมสเฟต N-CH 600V 25A To263-3 ทรานซิสเตอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.01-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: PNP
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ออปโตไอโซเลเตอร์ทรานซิสเตอร์เอาต์พุตแนวนอนออปโตคัปเปลเลอร์ที่มีเอาต์พุตฐาน 3550vrms DIP-6 โฟโตทราน 4n35
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.24 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Stw4n150 โมเสท N-Channel แรงดันสูง 4A/1500V ทรานซิสเตอร์ to-247
ราคา FOB อ้างอิง:
US$12-13 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: PNP
- มาตรฐาน: Package TO-247
- รหัส HS: 85412100
- กำลังการผลิต: 10000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมสเฟตทรานซิสเตอร์ Irfp90n20 Irfp90n20d 90n20 to-247 พาวเวอร์ไตรโอด
ราคา FOB อ้างอิง:
US$6.26 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ท่อพลังงาน NPN ช่อง 10A150V ทรานซิสเตอร์ D2439
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.37-0.78 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ระบบชุมสาย
- วัสดุ: เจอร์เมเนียม
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ IGBT K75h603 Ikw75n60h3
ราคา FOB อ้างอิง:
US$4.65 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- มาตรฐาน: Height: 20.7 mm Length: 15.87 mm Width: 5.31 mm
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์พลังงานใหม่และต้นฉบับ 2sk168b
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.52-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China