ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ Utc ดั้งเดิม 2SD313 ทรานซิสเตอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.015-0.9 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- บรรจุภัณฑ์: Tube
- มาตรฐาน: /
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ขายตรงจากโรงงาน ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ IC ใหม่แท้ Irfz44n
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.2-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- บรรจุภัณฑ์: Tube
- มาตรฐาน: Plastic and copper
- มาร์ค: CHN
- ต้นกำเนิด: Chn
- กำลังการผลิต: 10000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
5A Sr520 Sr540 Sr560 Sr580 Sr5100 การทำเครื่องหมายของ Schottky Diode
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.05-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: โลหะผสม
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ขายร้อน MP1620 Mn2488 to-3p ไอซีทรานซิสเตอร์ต้นฉบับ
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.28-0.3 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Tube
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
mm1z3V6 การพิมพ์สกรีน 4h 0.5W 3.6V SOD123 1206 ไดโอดเซนเซอร์ชิป
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.04-0.05 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 2,500 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 2,500 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: PNP
- วัสดุ: ซิลิคอน
- มาตรฐาน: Supplier Device Package SOT-23-3
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์พลังงานคุณภาพสูง Irf530n ใหม่และแท้
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.001-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- มาร์ค: CHN
- ต้นกำเนิด: Chn
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Bu406 To220 ทรานซิสเตอร์พลังงาน บีเจที 406
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.09-0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ระดับพลังงาน: ใช้พลังงานน้อย
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: NPN
- วัสดุ: ซิลิคอน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ข้อเสนอพิเศษ ทรานซิสเตอร์ Fqpf2n60 to-220 600V โมสเฟต N-Channel 2n60
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.48-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- ต้นกำเนิด: China
- กำลังการผลิต: 10000
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Fqpf10n80 10n80 to-220f อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จีน
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.01-0.05 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ขายร้อนไดโอดไตรโอด 2SD2499 1700/600V 6A 50W ขายส่งทรานซิสเตอร์ D2499
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.56-1.55 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Ipw90r120c3 อินฟิเนอน โมสเฟต เอ็น-แชนแนล 9r120c
ราคา FOB อ้างอิง:
US$9.03 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 250 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 250 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- บรรจุภัณฑ์: Carton
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
(15A, 60V, 90W) to-247 to-3p Tip3055 ทรานซิสเตอร์พลังงาน
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5-0.58 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: PNP
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Fod2741A Fod2741 ออปโตคัปเปลเลอร์ ทรานซิสเตอร์เอาท์พุต ออปโตคัปเปลเลอร์ แบบปลั๊กอิน DIP-8
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.89-1.2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ซังเคน 2SA1489 พาวเวอร์ ไบโพลาร์ ทรานซิสเตอร์ A1489
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.36 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 250 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 250 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: PNP
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Spp17n80c3 to-220 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
IRGP4068DPBF Gp4068d to-247 ไอจีบีที 600V 96A 330W ทรานซิสเตอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.18-0.25 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Tube
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Ipp075n15n3g ทรานซิสเตอร์พลังงาน MOS แบบ N-Channel 60V 120A To220
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.8-1.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- มาร์ค: Infineon
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ใหม่ 2sc2316-Y C2316 ซิลิคอน NPN ทรานซิสเตอร์เมซาแบบสามชั้น
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
2SD2394 to-220f D2394 ทรานซิสเตอร์ โมส ไอซี
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1-1.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: PNP
- วัสดุ: ซิลิคอน
- มาตรฐาน: Package TO-220F
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Fdp047n10 to-220 เฟต 120A100V ทรานซิสเตอร์ NPN
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.37-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ออปโตไอโซเลเตอร์ ทรานซิสเตอร์ เอาท์พุต 5000vrms 1 ช่อง PS2501
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.28-0.29 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
- วัสดุ: ซิลิคอน
- มาร์ค: CHN
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Fp10r12W1t4 โมดูล IGBT ใหม่จาก Infineon 1200V 20A 105W
ราคา FOB อ้างอิง:
US$28.1-35.05 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 50 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 50 ชิ้น
- วัสดุ: ซิลิคอน
- มาร์ค: Infineon
- ต้นกำเนิด: China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ในสต็อกใหม่และแท้ Mosfet Irf3205 Irf3205pbf
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.27-0.32 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- ต้นกำเนิด: China
- รหัส HS: 85412100
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ 1200V 64A ทรานซิสเตอร์ IGBT Fgl40n120and 40n120
ราคา FOB อ้างอิง:
US$3-5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
- บรรจุภัณฑ์: Standard
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ใหม่และต้นฉบับ 2sk2611 K2611 ทรานซิสเตอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5-0.58 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังแรงสูง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ระบบชุมสาย
- โครงสร้าง: NPN
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
2sk3878 ทรานซิสเตอร์พิเศษสำหรับเครื่องเชื่อมไฟฟ้า
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.54 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS
- ความถี่ในการทำงาน: ความถี่สูง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: NPN
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Standard Packaging-
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
Es1g ไดโอดฟื้นฟูเร็ว SMD SMA Es1d ไดโอด
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.0068 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง,ดาร์ลิงตัน,ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: การกระจายแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ทรานซิสเตอร์ IGBT 40t120fes Mbq40t120fes
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.23-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
แบรนด์ใหม่ของแท้ Mur6060PT to-247 Mur6060 60A600V ไดโอดฟื้นฟูเร็วพิเศษ
ราคา FOB อ้างอิง:
US$1.47-2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การติดตั้ง: ขั้วต่อ Triode
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ไวต่อแสง
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
2n4401 4401 to-92 ทรานซิสเตอร์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.0221-0.066 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 5,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 5,000 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
- การติดตั้ง: SMD ไตรโอด
- ความถี่ในการทำงาน: การโอเวอร์คล็อก
- ระดับพลังงาน: กำลังไฟปานกลาง
- ฟังก์ชัน: ขั้วบวกพลังงาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China