D4KB08 4.0 แอมแปร์ D3K สะพานรีกติเฟียร์ ไดโอดสะพาน
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,500 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,500 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: D4KB08
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
อุปกรณ์แก้ไขกระแสไฟฟ้าสะพานที่มีการป้องกันด้วยกระจก GBL06
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.43-0.87 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
N-Channel 650V, 7A1) 0.65Ω ลอนเฟตต์พาวเวอร์มอสเฟต Lsd65r650ht
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.13 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไดโอดช็อตกี้เหมาะสำหรับการติดตั้งอัตโนมัติ การสูญเสียพลังงานต่ำ คุณสมบัติ การใช้งาน TO-277 SS5U100PAQ
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.18-1.28 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- แอปพลิเคชัน: ไฟเพื่อการตกแต่ง
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
HCS65R320S 650V 12.3A MOSFET ซุปเปอร์จังค์ชัน N-Channel
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5-0.6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
IRLML2803 SOT-23 แพ็คเกจ 30V HEXFET N-Channel พาวเวอร์โมสเฟต
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.080 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
อุปกรณ์แก้ไขกระแสไฟฟ้าสะพานที่มีการป้องกันด้วยกระจก GBP208
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.34-0.95 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมดูล IGBT VCES-1200V IC-25A การสูญเสียการสลับต่ำ คุณสมบัติกรณีเหนี่ยวนำต่ำ การใช้งาน MG25P12E1
ราคา FOB อ้างอิง:
US$125 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- แอปพลิเคชัน: รถยนต์
- การรับรอง: RoHS
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- มาร์ค: MR
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
อุปกรณ์แก้ไขกระแสไฟฟ้ากระแสตรงที่มีการป้องกันด้วยกระจก แรงดันย้อนกลับ - 50 ถึง 1000 โวลต์ คุณสมบัติของผู้ผลิต การใช้งาน ไดโอด GBJ2008
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.35-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ลอนเทน เอ็น-แชนแนล 600V, 4A พาวเวอร์ โมสเฟต ฟีเจอร์ส แอพพลิเคชัน ไดโอด ผู้ผลิต วีดีโมส LONTEN-LND4N60
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.27-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไดโอดช็อตกี้เหมาะสำหรับการวางตำแหน่งอัตโนมัติ การสูญเสียพลังงานต่ำ คุณสมบัติ การใช้งาน TO-277 SS15U45PQ
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.18-1.28 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- แอปพลิเคชัน: ไฟเพื่อการตกแต่ง
- การรับรอง: RoHS
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
1- เส้น, ทิศทางเดียว, ไดโอดป้องกัน ESD กระแสรั่วต่ำ แรงดันตกต่ำสุด คุณสมบัติการใช้งาน SOD-523 ESD5V0D5Q
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.799 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
- การรับรอง: RoHS
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- มาร์ค: MR
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
GAS06520P TO-247 650V/ 20A ไดโอดช็อตกี้พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์
ราคา FOB อ้างอิง:
US$2.9 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาร์ค: Merry
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ช็อตกี้แบร์ริเออร์เรกติฟายเออร์ MOSFET คุณสมบัติ การใช้งาน การสูญเสียพลังงานต่ำ รถจักรยานยนต์ไฟฟ้าแบตเตอรี่ Yangjie-1S20
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.09-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- มาร์ค: Yangjie
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
โมดูล IGBT VCES-1200V IC-75A ความเหนี่ยวนำต่ำ ความต้านทานต่อการลัดวงจร capability(10us) คุณสมบัติ การใช้งาน MG75HF12TFC1
ราคา FOB อ้างอิง:
US$135 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- แอปพลิเคชัน: รถยนต์
- การรับรอง: RoHS
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- มาร์ค: MR
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
อุปกรณ์สะพานแก้วที่มีการป้องกันพื้นผิว DF06S
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.36-0.55 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
4GBJ608 แรงดันย้อนกลับ -800 โวลต์ กระแสขาไป - 6.0 แอมแปร์ ไดโอดบริดจ์ที่มีการป้องกันด้วยแก้ว
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.17-0.19 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 750 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 750 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: 4GBJ608
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
HCA60R099F TO-247 600V MOSFET ซูเปอร์จังก์ชัน N-Channel
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.9 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาร์ค: Merry
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
2.4V ถึง 43V ซิลิคอนแพลนาร์เซนเนอร์ไดโอด BZT52C15S
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.15-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- มาร์ค: Merry
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
40-60-80V 12.5W 3A ทรานซิสเตอร์พลังงานซิลิโคนพลาสติกเสริม TO-225 MJE172G
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.15 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาร์ค: Merry
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ทรานซิสเตอร์ N-Channel ขั้นสูง MOSFET Trench RU6055R คุณสมบัติ การใช้งาน ไดโอด
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.15-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
SE60D200C TO-3P ตัวต้านทานชอตกี้
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5-0.7 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
1.5KE150A ทีวีเอส ไดโอด 1.5KE6.8A/CA ผ่าน 1.5KE540A/CA 1N6267A ผ่าน 1N6303A ไดโอดป้องกันแรงดันชั่วคราว
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.07-0.08 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
200V 3A แพ็คเกจ SMB แบบติดตั้งบนพื้นผิว ไดโอดช็อตกี้ MBRS3200T3
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.086 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- โครงสร้าง: ระนาบ
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
GBU2510 25A 1000V ตัวเชื่อมสะพานที่มีการป้องกันด้วยกระจก GBU2510 GBU2508
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.2-0.25 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: GBU2510
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
ไดโอดบริดจ์แบบกระจกที่มีการป้องกันย้อนกลับ แรงดันย้อนกลับ - 50 ถึง 1000 โวลต์ กระแสขาออก - 0.8 แอมแปร์ MB6F MBF
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.005 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- บรรจุภัณฑ์: Carton
- มาตรฐาน: plastic and metal
- มาร์ค: Merryelc
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
LNG4N65 TO-252 MOSFET ประเภท N-channel 650V, 4A พลังงาน
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.13 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
SOT-23 ไดโอดเคลือบพลาสติก ความเร็วในการสลับสูง คุณสมบัติการนำไฟฟ้าสูง การใช้งาน JSCJ-BAS21A
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.16-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
- การรับรอง: RoHS
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- มาตรฐาน: Customized
- มาร์ค: JSCJ
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- กำลังการผลิต: 10000 Pieces/Day
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
S8550 พีเอ็นพี SOT-23 ทรานซิสเตอร์ขนาดเล็กแบบเดี่ยว
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.1-0.13 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
HCD65R320 TO-252 650V MOSFET ซุปเปอร์จังก์ชัน N-Channel
ราคา FOB อ้างอิง:
US$0.5-0.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
- โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
- การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
- ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
- วัสดุ: ซิลิคอน
- บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
- ต้นกำเนิด: Guangdong, China
- รัฐ / จังหวัด: Guangdong, China
