พบประมาณ 6475 สินค้า

RS2MA 2.0Amp ไดโอดรีกติไฟฟ้าฟื้นฟูเร็วที่ติดตั้งบนพื้นผิว

ราคา FOB: US$0.1-0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
  • ต้นกำเนิด: Guangdong, China

M2837vc180 ไทริสเตอร์ฟาสต์รีคัฟเวอรี เวสต์โค้ด M3770zc M2505mc M2408ND

ราคา FOB: US$2-10 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: ซิลิคอน

K315-1 SOD-55 123 320 มิลไดโอดเครื่องกำเนิดไฟฟ้ากระแสสีฟแบบเชื่อมติดกับพื้นผิว Schottky Barrier Recitiverติดต่อ กัน

ราคา FOB: US$13.44 / KPCS
ปริมาณต่ำสุด: 1 KPCS
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Carton
  • มาตรฐาน: K315-320
  • มาร์ค: HQSWE

ตัวป้องกัน ESD แบบความจุสองทิศทาง Vctb12V1516yw Dfn1006-2L ไดโอดทีวีเอสแบบติดตั้งบนพื้นผิว

ราคา FOB: US$0.06-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10,000 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • วัสดุ: ซิลิคอน

โมดูลไดโอดป้องกันกระแสย้อนกลับพลังงานแสงอาทิตย์ใหม่ 90A 1600V สำหรับระบบแบตเตอรี่นอกกริดพลังงานแสงอาทิตย์ การจ่ายไฟกระแสตรง

ราคา FOB: US$5.67 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: 1.5kg
  • มาตรฐาน: 10*8*5cm
  • มาร์ค: KANE

โมดูล IGBT พลังงานใหม่ Pm30ctj060-36-2 สำหรับมิตซูบิชิ

ราคา FOB: US$10-20 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

ไดโอดรีกติเฟียร์ที่ฟื้นตัวเร็วมาก 2A 600V Murs260

ราคา FOB: US$1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • บรรจุภัณฑ์: T/P
  • มาตรฐาน: 1A, 1000V
  • มาร์ค: SY
  • ต้นกำเนิด: China

Dtc143zet1g ทรานซิสเตอร์ NPN ดิจิตอล 50V 100mA 80hfe Sot-416 SMD

ราคา FOB: US$0.019 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การรับรอง: RoHS
  • บรรจุภัณฑ์: Default
  • มาตรฐาน: Default
  • มาร์ค: Default
  • ต้นกำเนิด: Default

ไดโอดชอทกี้แบบติดตั้งบนพื้นผิว การสูญเสียพลังงานต่ำ ความสามารถในการรับแรงดันข้างหน้าได้สูง คุณสมบัติ การใช้งาน DO-214AC SS310AQ

ราคา FOB: US$0.18-1.23 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • แอปพลิเคชัน: รถยนต์
  • การรับรอง: RoHS
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
  • มาตรฐาน: Customized

Mdd950 ซีรีส์ 1600V 668A โมดูลไดโอดกำลังสูงสำหรับแหล่งจ่ายไฟ DC

ราคา FOB: US$2-10 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • บรรจุภัณฑ์: Carton Box/ Pallet
  • มาตรฐาน: 150*60*52mm
  • มาร์ค: Aigoodele

K22-26 SOD-123 40mil ไดโอดแบบช็อตกี้ที่ติดตั้งบนพื้นผิว

ราคา FOB: US$6.02 / KPCS
ปริมาณต่ำสุด: 1 KPCS
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Carton
  • มาตรฐาน: K22-26
  • มาร์ค: HQSWE

DFN1006-2L VCTB5V1516DY ไดโอด ESD สำหรับอุปกรณ์พกพา MP3 การป้องกันพลังงานแบตเตอรี่

ราคา FOB: US$0.06-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10,000 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • วัสดุ: ซิลิคอน

โมดูลไดโอดป้องกันกระแสย้อนกลับพลังงานแสงอาทิตย์ใหม่สำหรับระบบแบตเตอรี่นอกกริดพลังงานไฟฟ้ากระแสตรง 300A 1600V

ราคา FOB: US$27.05 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: 1.5kg
  • มาตรฐาน: 10*8*5cm
  • มาร์ค: KANE

Cm400dy-24A Cm400dy-24NF โมดูลอินเวอร์เตอร์ 400A1200V โมดูล IGBT สำหรับมิตซูบิชิ

ราคา FOB: US$10-20 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

EL817 ออปโตคัปเปลเลอร์ 5kv 1-CH เอาท์พุตทรานซิสเตอร์ 4-DIP ผ่านรู

ราคา FOB: US$10.63 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การรับรอง: RoHS
  • บรรจุภัณฑ์: Default
  • มาตรฐาน: Default
  • มาร์ค: Default
  • ต้นกำเนิด: Default

ไดโอดรีกติเฟียร์ฟื้นฟูเร็วมาก UF4004, UF4007

ราคา FOB: US$1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS
  • บรรจุภัณฑ์: SMA
  • มาตรฐาน: ISO9001
  • มาร์ค: SY
  • ต้นกำเนิด: China
  • รหัส HS: 85411000

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นเกรดเชิงพาณิชย์สำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิสูง MOSFET ไดโอด คุณสมบัติ การใช้งาน พลังงาน C1608X8R1H102K080AA

ราคา FOB: US$0.17-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
  • มาตรฐาน: Customized

70A โมดูลไดโอดรีกติเฟียร์แบบป้องกันการสะท้อน MD70A-16

ราคา FOB: US$7.88-8.75 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: เครื่องจักรขนาดใหญ่
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: เมซา
  • วัสดุ: ซิลิคอน

GBP402-GBP410 88mil สะพานรีกติเฟียร์เฟสเดียวซิลิคอนสะพานรีกติเฟียร์

ราคา FOB: US$43.59 / KPCS
ปริมาณต่ำสุด: 1 KPCS
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Carton
  • มาร์ค: HQSWE
  • ต้นกำเนิด: Shenzhen, China

VC1N5819WSB SOD-323 ไดโอดช็อตกี้แบบติดตั้งพื้นผิว IC ชิปอิเล็กทรอนิกส์ ส่วนประกอบที่ใช้งาน

ราคา FOB: US$0.05-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Secure Packaging
  • มาตรฐาน: A Surface Mount Schottky Barrier Diode

โมดูลไดโอดไฮบริดไทริสเตอร์ SCR สำหรับการควบคุมความเร็วของมอเตอร์ AC และแหล่งจ่ายไฟสำหรับการเชื่อม 160A 1600V แบบกึ่งควบคุม

ราคา FOB: US$12.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: 0.5kg
  • มาตรฐาน: 10*3*4cm
  • มาร์ค: KANE

2A200hb12c2f 2A300hb12c2f โมดูล IGBT ของอินฟิเนียน

ราคา FOB: US$10-20 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

ดายโอดรีกติฟายเออร์อาเรย์ของ Dhx Flld261 Sot-23-3 100% ใหม่แท้

ราคา FOB: US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Default

6A, 800V, ไดโอดบริดจ์เรกติไฟเออร์ Gbu608

ราคา FOB: US$1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้าง: การกระจายแสง
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • มาตรฐาน: 1
  • มาร์ค: SY

ไดโอดช็อตกี้ แบเรียร์ รีctifier ตัวแปลงไฟฟ้า MOSFET ฟีเจอร์ การใช้งาน ไดโอด โลหะ ซิลิคอน จังก์ชัน B5817W

ราคา FOB: US$0.12-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
  • มาตรฐาน: Customized
  • มาร์ค: Merryelc

Mdk400A โมดูลไดโอดรีกติฟายเออร์ใหม่และแท้มีสินค้าในสต็อก 400A1600V

ราคา FOB: US$2-99 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • วัสดุ: ซิลิคอน

K220 SOD-123 40mil ไดโอดแบบชอทกี้ที่ติดตั้งบนพื้นผิว

ราคา FOB: US$8.22 / KPCS
ปริมาณต่ำสุด: 1 KPCS
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Carton
  • มาตรฐาน: K220
  • มาร์ค: HQSWE

การออกแบบขั้นสูง Vc521s6-30X ไดโอดช็อตกี้ Dfnwb0.6*0.3-2L จากผู้ผลิตจีน

ราคา FOB: US$0.0129-0.031 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Secure Packaging
  • มาตรฐาน: SCHOTTKY BARRIER DIODE

เคนเอ็มดีเอส 30A 1600V ซานเร็กซ์ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไทริสเตอร์ โมดูลสะพานรีกติฟายเออร์สามเฟส 3 ไดโอดสะพานรีกติฟายเออร์เฟส

ราคา FOB: US$3.7 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: 1.5kg
  • มาตรฐาน: 10*8*5cm
  • มาร์ค: KANE

Fp50r12kt4 Fp35r12kt4 Fp25r12kt4 Fp40r12kt3 โมดูล IGBT ของ Infineon

ราคา FOB: US$10-20 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม
แสดง: 10 30 50