พบประมาณ 6426 สินค้า

ไดโอดเฮลิคัล IR ประสิทธิภาพสูงสำหรับกำลังไฟฟ้าที่เชื่อถือได้ Solutions2

ราคา FOB: US$25-29 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • แอปพลิเคชัน: เครื่องจักรขนาดใหญ่
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Anti Vibration Cardboard Box
  • มาตรฐาน: thyristor diode
  • มาร์ค: IR

3W, เซมิคอนดักเตอร์ไดโอด ซีนเนอร์ไดโอด ไดโอดไฟฟ้า

ราคา FOB: US$0.01-0.8 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10,000 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Bags, Cardboard Boxes
  • มาตรฐาน: 1SMB59 SERIES

เครื่องกำเนิดไฟฟ้า ไดโอดรีกติไฟเบอร์บริดจ์ Lsa50.1/Lsa51.2

ราคา FOB: US$800-1,000 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • แอปพลิเคชัน: รถยนต์
  • การรับรอง: CE,ISO
  • ความเข้มการส่องสว่าง: การกระจายแสง
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

ใหม่ Bas16 A6 ไดโอดสวิตช์คุณภาพสูง

ราคา FOB: US$0.11-1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • มาร์ค: CHN
  • ต้นกำเนิด: China
  • กำลังการผลิต: 10000

โมดูลทรานซิสเตอร์ IGBT แบบโหลดสูง S-Emikron Skm400GB128d

ราคา FOB: US$10-20 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

LMC7660 ตัวแปลงแรงดันไฟฟ้าคาปาซิเตอร์สลับ

ราคา FOB: US$0.4-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
  • ต้นกำเนิด: Guangdong, China

S35vb100 35A โมดูลรีกติเฟียร์แบบบริดจ์ แอมป์ กระแสไฟฟ้าขั้นเดียว

ราคา FOB: US$2-10 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Carton Box

K34-K36 SOD-123 50mil ไดโอดแบบชอทกี้ที่ติดตั้งบนพื้นผิว

ราคา FOB: US$8.62 / KPCS
ปริมาณต่ำสุด: 1 KPCS
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Carton
  • มาตรฐาน: K34-36
  • มาร์ค: HQSWE

วงจรรวม SOD-123FL ไดโอดช็อตกี้ แบร์ริเออร์ Vrrm 40V Vcds24wz กระแส (AV) 2A

ราคา FOB: US$0.0165-0.035 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Secure Packaging
  • มาตรฐาน: Schottky Barrier Diode

มอดูลไดโอดบริดจ์ไทริสเตอร์กำลังสูง Mdc 90A 1600V ซิลิคอนเครื่องแปลงความถี่สำหรับการชาร์จและการปล่อยแบตเตอรี่

ราคา FOB: US$4.6 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: 1.1kg
  • มาตรฐาน: 10*3*5cm
  • มาร์ค: KANE

Ltv-247 ออปโตคัปเปลเลอร์ 3.75kv 4CH ทรานซิสเตอร์ 50-600% ซีทีอาร์ 16-Soic เอสเอ็มดี

ราคา FOB: US$0.035-156 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • การรับรอง: RoHS
  • บรรจุภัณฑ์: Default
  • มาตรฐาน: Default
  • มาร์ค: Default
  • ต้นกำเนิด: Default

6A, 600V, ไดโอดบริดจ์เรกติไฟเออร์ Gbu606

ราคา FOB: US$1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • โครงสร้าง: การกระจายแสง
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • มาตรฐาน: 1
  • มาร์ค: SY

ดาโก ไดโอด, ไธริสเตอร์ และ ไอจีบีที เป็นของใหม่และของแท้

ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • แอปพลิเคชัน: ไฟเพื่อการตกแต่ง
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: เมซา
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

to-263-2L ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตันซิลิคอน NPN พร้อมตัวต้านทานชันต์เบสในตัวเพื่อความเสถียรที่ยอดเยี่ยม

ราคา FOB: US$0.1-0.2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 2,500 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Bags, Cardboard Boxes
  • มาตรฐาน: optional

โมดูลรีกติไฟเออร์ Mxg/Y (I) 25-15 ไดโอดบริดจ์หมุนอัตโนมัติสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าบรัชเลส

ราคา FOB: US$15-25 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • แอปพลิเคชัน: รถยนต์
  • การรับรอง: CE,ISO
  • ความเข้มการส่องสว่าง: การกระจายแสง
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

สะพานรีกติเฟียร์เฟสเดียวไดโอด MB10f MB10m MB10s

ราคา FOB: US$0.02-0.05 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 100 ชิ้น

Ixa4if1200tc โมดูล IGBT Copack - อุปกรณ์สวิตช์พลังงานสำหรับ Ixys

ราคา FOB: US$10-20 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

2- สาย, ไบไดเรคชันนัล, ไดโอดป้องกัน ESD กระแสรั่วต่ำ ฟีเจอร์การใช้งาน แรงดันคล้องต่ำสุด SOT-23 ESD2702EBQ

ราคา FOB: US$0.836 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: รถยนต์
  • การรับรอง: RoHS
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
  • มาตรฐาน: Customized
  • มาร์ค: MR

Mda300A 1600V โมดูลไดโอดคู่แบบแอโนดทั่วไป Mda300A1600V

ราคา FOB: US$2-66 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • วัสดุ: ซิลิคอน

Sr3100 Do-27 ดิอา. 1.14mm 50mil ไดโอดพลาสติกแบบช็อตกี้แบร์เรียร์

ราคา FOB: US$23.59 / KPCS
ปริมาณต่ำสุด: 1 KPCS
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Carton
  • มาตรฐาน: SB, SR340~360
  • มาร์ค: HQSWE

VC1N5817WSB VC1N5818WSB VC1N5819WSB SOD-323 บริการ BOM ไดโอดช็อตกี้แบบติดตั้งบนพื้นผิว

ราคา FOB: US$0.05-0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Secure Packaging
  • มาตรฐาน: A Surface Mount Schottky Barrier Diode

Sqlf10A โมดูลไดโอดแบบสะพานสามเฟส 3 เฟสพร้อมฮีตซิงค์คูลเลอร์

ราคา FOB: US$2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO
  • บรรจุภัณฑ์: 10PCS/Box
  • มาตรฐาน: three-phase
  • มาร์ค: Trihero
  • ต้นกำเนิด: China
  • กำลังการผลิต: 100000PCS/Month

ดิจิทัลอิเล็กทรอนิกส์คอมโพเนนต์ฟาสต์รีคัฟเวอรีรีกติฟายเออร์ Flld263ta Sot-23 100% ของใหม่แท้

ราคา FOB: US$0.12 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบพลาสติกซีล
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • โครงสร้าง: ระนาบ
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Default

ตัวแก้ไข Diode-1.5A 1000V 1n5399

ราคา FOB: US$0.1 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10,000 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: T/P
  • มาตรฐาน: 1A, 1000V
  • มาร์ค: SY

ไดโอดเฮลิคอล IR ประสิทธิภาพสูงสำหรับ Solutions2 พลังงานอย่างมีประสิทธิภาพ

ราคา FOB: US$25-29 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • แอปพลิเคชัน: เครื่องจักรขนาดใหญ่
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Anti Vibration Cardboard Box
  • มาตรฐาน: thyristor diode
  • มาร์ค: IR

Murd10h40CTB to-252-2L ไดโอดฟื้นฟูเร็วแบบดูอัลคอร์กำลังสูง SMD 400V

ราคา FOB: US$0.01-0.5 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 10,000 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS,CE,ISO,CCC
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Bags, Cardboard Boxes
  • มาตรฐาน: MURD10H40CTB

M50100tha1600 โมดูลไดโอด โมดูลเซมิคอนดักเตอร์ M50100thc1600 M50100tha1600 Ck260

ราคา FOB: US$15-45 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์บรรจุภัณฑ์เซรามิค
  • แอปพลิเคชัน: รถยนต์
  • การรับรอง: CE,ISO
  • ความเข้มการส่องสว่าง: การกระจายแสง
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

Ss14 1.0A ไดโอดชอทกี้แบร์ริเออร์แบบติดตั้งผิว 1n5819

ราคา FOB: US$0.05-0.2 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • การรับรอง: RoHS,ISO
  • มาร์ค: /
  • ต้นกำเนิด: China

Bsm200GB120dlc โมดูล IGBT - 200A 1200V ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์พลังงาน

ราคา FOB: US$10-20 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1 บางส่วน
  • โครงสร้างการห่อหุ้ม: ทรานซิสเตอร์แบบชิป
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: CE
  • ความเข้มการส่องสว่าง: มาตรฐาน
  • โครงสร้าง: โลหะผสม
  • วัสดุ: เจอร์เมเนียม

โมดูล IGBT VCES-1200V IC-10A การสูญเสียการสลับต่ำ กรณีเหนี่ยวนำต่ำ การลัดวงจรสูง capability(10us) MG10P12P3

ราคา FOB: US$58 / บางส่วน
ปริมาณต่ำสุด: 1,000 ชิ้น
  • แอปพลิเคชัน: ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
  • การรับรอง: RoHS
  • วัสดุ: ซิลิคอน
  • บรรจุภัณฑ์: Plastic Package
  • มาตรฐาน: Customized
  • มาร์ค: MR
แสดง: 10 30 50